- Модель продукта G2K8P15S
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание P-150V,-2.2A,RD(MAX)<310M@-10V,V
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:5183
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 2.2A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 310mOhm @ 500mA, 10V
- Материал феррулы 2.5W (Tc)
- Барьерный тип 3.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOP
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 150 V
- 11 nC @ 10 V
- 966 pF @ 75 V
Сопутствующие товары
MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC
Инвентаризация: 2173
P-150V,-2.2A,RD(MAX)<310M@-10V,V
Инвентаризация: 3683
MOSFET P-CH 150V 2.2A SOP-8
Инвентаризация: 28000
MOSFET P-CH 150V 2.8A 8SO
Инвентаризация: 6028
MOSFET P-CH 150V 2A 8SO
Инвентаризация: 31459
