Инвентаризация:32959

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 2A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 295mOhm @ 4A, 10V
  • Материал феррулы 5.9W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 6V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 150 V
  • 42 nC @ 10 V
  • 1190 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC

Инвентаризация: 2173

MOSFET P-CH 150V 2.8A 8SO

Инвентаризация: 6028

MOSFET N-CH 80V 150A TO263

Инвентаризация: 2405

TRANS NPN 100V 3A SOT23-3

Инвентаризация: 5343

Top