Инвентаризация:7528

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 2.8A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 295mOhm @ 4A, 10V
  • Материал феррулы 3.1W (Ta), 5.9W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 150 V
  • 42 nC @ 10 V
  • 1190 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

Инвентаризация: 0

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

Инвентаризация: 95454

MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.19A, 100

Инвентаризация: 8476

MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC

Инвентаризация: 2173

MOSFET P-CH 150V 2A 8SO

Инвентаризация: 31459

Top