Инвентаризация:3627

Технические детали

  • Тип монтажа 12-WDFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 4 N-Channel (Full Bridge)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.9W
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 8A
  • Глубина 2295pF @ 30V
  • Сопротивление при 25°C 17.5mOhm @ 8A, 10V
  • Тип симистора 33nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 12-MLP (5x4.5)

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23

Инвентаризация: 1328

MOSFET SOT-23 N Channel 60V

Инвентаризация: 786000

N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET

Инвентаризация: 35

MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.3A, 60V,

Инвентаризация: 37075

MOSFET 4N-CH 60V 14.8A 12VDFN

Инвентаризация: 12507

Top