- Модель продукта SI9407BDY-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:21716
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 4.7A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 120mOhm @ 3.2A, 10V
- Материал феррулы 2.4W (Ta), 5W (Tc)
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 22 nC @ 10 V
- 600 pF @ 30 V