Инвентаризация:21716

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 4.7A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 120mOhm @ 3.2A, 10V
  • Материал феррулы 2.4W (Ta), 5W (Tc)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 60 V
  • 22 nC @ 10 V
  • 600 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SOIC

Инвентаризация: 412644

MOSFET P-CH 60V 4A 8SOIC

Инвентаризация: 11990

MOSFET PCH 60V 8SO

Инвентаризация: 975

MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO

Инвентаризация: 20105

Top