Инвентаризация:13490

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 4A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 100mOhm @ 4A, 10V
  • Материал феррулы 3.1W (Ta)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 60 V
  • 20 nC @ 10 V
  • 1120 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3L

Инвентаризация: 25328

MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SOIC

Инвентаризация: 412644

MOSFET P-CH 30V 3.6A SUPERSOT6

Инвентаризация: 7945

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Инвентаризация: 2325153

Top