Инвентаризация:48429

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 9.2A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 18mOhm @ 10A, 10V
  • Материал феррулы 1.5W (Ta)
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SO
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 60 V
  • 17 nC @ 10 V
  • 864 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET, N-CH,60V,9A,RD(MAX)<12M@

Инвентаризация: 3990

MOSFET N-CH 60V 9A SOP-8

Инвентаризация: 8000

IC TRANSLATOR BIDIR 20TSSOP

Инвентаризация: 19338

Top