- Модель продукта G130N06S
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET, N-CH,60V,9A,RD(MAX)<12M@
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:5490
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 9A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 12mOhm @ 10A, 10V
- Материал феррулы 2.6W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOP
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 67 nC @ 10 V
- 3068 pF @ 30 V