- Модель продукта G65P06T
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание P-60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2.0V~
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 65A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 18mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 130W (Tc)
- Барьерный тип 3.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 75 nC @ 10 V
- 5814 pF @ 25 V
Сопутствующие товары
P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Инвентаризация: 130
MOSFET P-CH 60V 195A TO-220
Инвентаризация: 10000
P-60V,-60A,RD(MAX)<20M@-10V,VTH-
Инвентаризация: 65
MOSFET P-CH 60V 60A TO-220
Инвентаризация: 3000
MOSFET, P-CH, 60V,40A,TO-220
Инвентаризация: 48
MOSFET P-CH 60V 40A TO-220
Инвентаризация: 4000
P-60V,-32A,RD(MAX)<40M@-10V,VTH-
Инвентаризация: 129
MOSFET P-CH 60V 32A TO-220
Инвентаризация: 2000
P-CH, -60V, 65A, RD(MAX)<18M@-10
Инвентаризация: 125
MOSFET P-CH 60V 65A TO-220F
Инвентаризация: 58000
