- Модель продукта G230P06T
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 60V 60A TO-220
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 60A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 20mOhm @ 10A, 10V
- Материал феррулы 115W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
Сопутствующие товары
P-60V,-32A,RD(MAX)<40M@-10V,VTH-
Инвентаризация: 129
MOSFET P-CH 60V 32A TO-220
Инвентаризация: 2000
MOSFET, P-CH, 40V,45A,TO-220
Инвентаризация: 0
MOSFET P-CH 40V 45A TO-220
Инвентаризация: 15000
P-60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2.0V~
Инвентаризация: 123
MOSFET P-CH 60V 65A TO-220
Инвентаризация: 10000
MOSFET, P-CH,-40V,-70A,RD(MAX)<7
Инвентаризация: 52
MOSFET P-CH 40V 70A TO-220
Инвентаризация: 1000
P-80V, -25A,RD<72M@-10V,VTH-2V~-
Инвентаризация: 51
MOSFET P-CH 80V 25A TO-220
Инвентаризация: 1000
