- Модель продукта G75P04T
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET, P-CH,-40V,-70A,RD(MAX)<7
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 70A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 7mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 277W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 40 V
- 106 nC @ 10 V
- 6985 pF @ 20 V
Сопутствующие товары
MOSFET P-CH 40V 222A TO-220
Инвентаризация: 105
P-30V,-85A,RD(MAX)<5M@-10V,VTH-1
Инвентаризация: 32
MOSFET P-CH 30V 85A TO-220
Инвентаризация: 2000
P-60V,-60A,RD(MAX)<20M@-10V,VTH-
Инвентаризация: 65
MOSFET P-CH 60V 60A TO-220
Инвентаризация: 3000
MOSFET, P-CH, 40V,45A,TO-220
Инвентаризация: 0
MOSFET P-CH 40V 45A TO-220
Инвентаризация: 15000
P-60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2.0V~
Инвентаризация: 123
MOSFET P-CH 60V 65A TO-220
Инвентаризация: 10000
MOSFET P-CH 80V 89A TO-220
Инвентаризация: 23
