- Модель продукта G040P04T
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 40V 222A TO-220
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 222A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 3.7mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 312W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 40 V
- 206 nC @ 10 V
- 15087 pF @ 20 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 60V 223A TO-220
Инвентаризация: 56
MOSFET P-CH 40V 222A TO-263
Инвентаризация: 481
MOSFET P-CH 40V 180A TO-263
Инвентаризация: 8000
P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Инвентаризация: 801
MOSFET P-CH 60V 195A TO-263
Инвентаризация: 9000
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Инвентаризация: 1830
MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3
Инвентаризация: 510
MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3
Инвентаризация: 552
MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
Инвентаризация: 49790
MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
Инвентаризация: 5303
