- Модель продукта G030N06T
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 60V 223A TO-220
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1556
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 223A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 2.7mOhm @ 30A, 10V
- Материал феррулы 240W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 101 nC @ 10 V
- 11999 pF @ 30 V
Сопутствующие товары
MOSFET P-CH 40V 222A TO-220
Инвентаризация: 105
P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Инвентаризация: 130
MOSFET P-CH 60V 195A TO-220
Инвентаризация: 10000
N40V, 220A,RD<2.5M@10V,VTH2.0V~5
Инвентаризация: 66
MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
Инвентаризация: 5303
