- Модель продукта G080P06T
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 195A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 7.5mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 294W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 186 nC @ 10 V
- 15195 pF @ 30 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 60V 223A TO-220
Инвентаризация: 56
MOSFET P-CH 40V 222A TO-220
Инвентаризация: 105
P-60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2.0V~
Инвентаризация: 123
MOSFET P-CH 60V 65A TO-220
Инвентаризация: 10000
MOSFET, P-CH,-60V,-160A,RD(MAX)<
Инвентаризация: 0
MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
Инвентаризация: 49790
MOSFET N-CH 75V 195A TO220AB
Инвентаризация: 5802
MOSFET P-CH 65V 120A TO220AB
Инвентаризация: 0
P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TO-2
Инвентаризация: 1545
MOSFET P-CH 100V 120A TO220AB
Инвентаризация: 0
