- Модель продукта SUP60061EL-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TO-2
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 150A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 5.8mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 375W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220AB
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 80 V
- 218 nC @ 10 V
- 9600 pF @ 40 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
Инвентаризация: 1937
MOSFET N-CH 400V 120MA TO92
Инвентаризация: 825
MOSFET P-CH 40V 222A TO-220
Инвентаризация: 105
P-30V,-85A,RD(MAX)<5M@-10V,VTH-1
Инвентаризация: 32
MOSFET P-CH 30V 85A TO-220
Инвентаризация: 2000
P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Инвентаризация: 130
MOSFET P-CH 60V 195A TO-220
Инвентаризация: 10000
MOSFET P-CH 65V 120A TO220AB
Инвентаризация: 0
P-CHANNEL MOSFET,TO-220AB(H)
Инвентаризация: 5424
PCH -100V -120A POWER MOSFET: RX
Инвентаризация: 857
