- Модель продукта GT042P06T
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET, P-CH,-60V,-160A,RD(MAX)<
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 160A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 4.5mOhm @ 15A, 10V
- Материал феррулы 280W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 305 nC @ 10 V
- 9151 pF @ 30 V
Сопутствующие товары
MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
Инвентаризация: 0
P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Инвентаризация: 801
MOSFET P-CH 60V 195A TO-263
Инвентаризация: 9000
P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Инвентаризация: 130
MOSFET P-CH 60V 195A TO-220
Инвентаризация: 10000
MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3
Инвентаризация: 510
MOSFET P-CH 50V 140A TO220AB
Инвентаризация: 9611
P-CHANNEL MOSFET,TO-220F
Инвентаризация: 8971
MOSFET N-CH 100V 16.1A PPAK
Инвентаризация: 6804
