Инвентаризация:2301

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 195A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 7.5mOhm @ 20A, 10V
  • Материал феррулы 294W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение TO-263
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 60 V
  • 186 nC @ 10 V
  • 15870 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 100MA SOT323

Инвентаризация: 50798

MOSFET P-CH 40V 12A TO252

Инвентаризация: 339338

MOSFET, P-CH, SINGLE, -140A, -60

Инвентаризация: 3081

MOSFET, P-CH,-60V,-160A,RD(MAX)<

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L

Инвентаризация: 3253

MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L

Инвентаризация: 5000

P-CHANNEL MOSFET, DFN5060

Инвентаризация: 10089

MOSFET P-CH 60V 110A TO263

Инвентаризация: 65815

MOSFET P-CH 60V 110A TO263

Инвентаризация: 5454

Top