- Модель продукта GT065P06D5
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 103A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 7mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 178W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-DFN (4.9x5.75)
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 62 nC @ 10 V
- 5326 pF @ 30 V
Сопутствующие товары
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Инвентаризация: 2892
P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Инвентаризация: 801
MOSFET P-CH 60V 195A TO-263
Инвентаризация: 9000
MOSFET, P-CH, SINGLE, -72A, -60V
Инвентаризация: 10212
MOSFET, P-CH, SINGLE, -140A, -60
Инвентаризация: 3081
P-CHANNEL MOSFET, DFN5060
Инвентаризация: 10089
P-CHANNEL MOSFET,DPAK
Инвентаризация: 1593
PCH -100V -120A POWER MOSFET: RX
Инвентаризация: 857
P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Инвентаризация: 0
MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
Инвентаризация: 8840
