Инвентаризация:4392

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount, Wettable Flank
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 115A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 5.2mOhm @ 9.8A, 10V
  • Материал феррулы 3.4W (Ta), 104W (Tc)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerDI5060-8 (Type UX)
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 6V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 40 V
  • 162 nC @ 10 V
  • 6855 pF @ 20 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 100A PWRDI5060-8

Инвентаризация: 1489

MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060

Инвентаризация: 4674

MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L

Инвентаризация: 3253

MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L

Инвентаризация: 5000

MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK

Инвентаризация: 27308

Top