Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 7.9A (Ta), 50A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 22mOhm @ 7.9A, 10V
  • Материал феррулы 2.5W (Ta), 104W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-PQFN (5x6)
  • Длина ремня 6V, 10V
  • Шаг Количество ±25V
  • 100 V
  • 59 nC @ 10 V
  • 4085 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33

Инвентаризация: 5866

MOSFET N-CH 100V 14.5A DLCOOL56

Инвентаризация: 4186

MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8

Инвентаризация: 49732

Top