Инвентаризация:7366

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 14A (Ta), 48A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 6.5mOhm @ 14A, 10V
  • Материал феррулы 2.3W (Ta), 54W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение Power33
  • Длина ремня 8V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 80 V
  • 53 nC @ 10 V
  • 3885 pF @ 40 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 80V 100A TDSON

Инвентаризация: 20149

MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN

Инвентаризация: 0

TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3

Инвентаризация: 331797

Top