- Модель продукта G040P04M
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 40V 222A TO-263
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 222A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 3.5mOhm @ 1A, 10V
- Материал феррулы 312W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-263
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 40 V
- 206 nC @ 10 V
- 14983 pF @ 20 V
Сопутствующие товары
MOSFET P-CH 40V 222A TO-220
Инвентаризация: 105
P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Инвентаризация: 801
MOSFET P-CH 60V 195A TO-263
Инвентаризация: 9000
N60V,170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2.
Инвентаризация: 788
MOSFET N-CH 60V 170A TO-263
Инвентаризация: 8000
MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Инвентаризация: 14004
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 30 V (D-S)
Инвентаризация: 2741
