- Модель продукта GT025N06AM
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание N60V,170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2.
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2288
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 170A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 2.5mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 215W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-263
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 70 nC @ 10 V
- 5119 pF @ 30 V
Сопутствующие товары
MOSFET P-CH 40V 222A TO-263
Инвентаризация: 481
MOSFET P-CH 40V 180A TO-263
Инвентаризация: 8000
MOSFET N-CH 100V 180A TO-263
Инвентаризация: 980
N60V,170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2.
Инвентаризация: 788
MOSFET N-CH 60V 170A TO-263
Инвентаризация: 8000
