- Модель продукта G080N10M
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 180A TO-263
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 180A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 7.5mOhm @ 30A, 10V
- Материал феррулы 370W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-263
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 107 nC @ 4.5 V
- 13950 pF @ 50 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Инвентаризация: 4517
MOSFET N-CH 100V 180A TO-220
Инвентаризация: 70
MOSFET, N-CH, SINGLE, 180.00A, 1
Инвентаризация: 942
N60V,170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2.
Инвентаризация: 788
MOSFET N-CH 60V 170A TO-263
Инвентаризация: 8000
N100V, 120A,RD<4.5M@10V,VTH2V~4V
Инвентаризация: 694
MOSFET N-CH 100V 120A TO-263
Инвентаризация: 800
MOSFET N-CH 100V 150A TO263
Инвентаризация: 3730
