- Модель продукта G080N10T
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 180A TO-220
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 180A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 7.5mOhm @ 30A, 10V
- Материал феррулы 370W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 107 nC @ 4.5 V
- 13912 pF @ 50 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 100V 180A TO-263
Инвентаризация: 980
MOSFET, N-CH, SINGLE, 180.00A, 1
Инвентаризация: 942
N100V,190A,RD<3.5M@10V,VTH2.0V~4
Инвентаризация: 58
MOSFET P-CH 100V 56A TO-220
Инвентаризация: 39
MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB
Инвентаризация: 2512
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Инвентаризация: 4998
