- Модель продукта GT035N10T
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание N100V,190A,RD<3.5M@10V,VTH2.0V~4
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 190A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 3.5mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 250W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 68 nC @ 10 V
- 6057 pF @ 50 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Инвентаризация: 142
MOSFET N-CH 100V 180A TO-220
Инвентаризация: 70
MOSFET, N-CH, SINGLE, 200.00A, 1
Инвентаризация: 323
MOSFET, N-CH, SINGLE, 160A, 100V
Инвентаризация: 932
N100V, 140A,RD<2.7M@10V,VTH2.7V~
Инвентаризация: 0
MOSFET N-CH 100V 190A TO-247
Инвентаризация: 54
MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB
Инвентаризация: 2512
MOSFET N-CH 100V 180A TO220
Инвентаризация: 9776
MOSFET N CH 100V 180A TO-220
Инвентаризация: 657
