- Модель продукта GT023N10T
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание N100V, 140A,RD<2.7M@10V,VTH2.7V~
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 140A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 2.7mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 500W (Tc)
- Барьерный тип 4.3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 90 nC @ 10 V
- 8086 pF @ 50 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3
Инвентаризация: 295
MOSFET N-CH 100V 222A TO220F
Инвентаризация: 1299
N100V, 150A,RD<4.8M@10V,VTH2V~4V
Инвентаризация: 63
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Инвентаризация: 0
MOSFET N-CH 80V 150A TO220AB
Инвентаризация: 52
