- Модель продукта FDP2D3N10C
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1795
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 222A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 2.3mOhm @ 100A, 10V
- Материал феррулы 214W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 700µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220-3
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 152 nC @ 10 V
- 11180 pF @ 50 V