- Модель продукта NTB004N10G
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 201A TO263
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:11396
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 201A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 4.2mOhm @ 100A, 10V
- Материал феррулы 340W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 500µA
- Максимальное переменное напряжение TO-263 (D2PAK)
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 175 nC @ 10 V
- 11900 pF @ 50 V