- Модель продукта IPB020N10N5LFATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3009
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 176A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 2mOhm @ 100A, 10V
- Материал феррулы 313W (Tc)
- Барьерный тип 4.1V @ 270µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO263-3
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 195 nC @ 10 V
- 840 pF @ 50 V