- Модель продукта FDP050AN06A0
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 60V 18A/80A TO220-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3804
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 18A (Ta), 80A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 5mOhm @ 80A, 10V
- Материал феррулы 245W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220-3
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 80 nC @ 10 V
- 3900 pF @ 25 V