- Модель продукта GT045N10T
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание N100V, 150A,RD<4.8M@10V,VTH2V~4V
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1563
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 150A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 4.8mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 156W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 73 nC @ 10 V
- 4198 pF @ 50 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3
Инвентаризация: 739
N100V, 140A,RD<2.7M@10V,VTH2.7V~
Инвентаризация: 0
N100V, 120A,RD<4.5M@10V,VTH2V~4V
Инвентаризация: 694
MOSFET N-CH 100V 120A TO-263
Инвентаризация: 800
