- Модель продукта GT045N10M
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание N100V, 120A,RD<4.5M@10V,VTH2V~4V
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2194
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 120A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 4.5mOhm @ 30A, 10V
- Материал феррулы 180W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-263
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 60 nC @ 10 V
- 4198 pF @ 50 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 100V 180A TO-263
Инвентаризация: 980
N100V, 150A,RD<4.8M@10V,VTH2V~4V
Инвентаризация: 63
MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
Инвентаризация: 1555
