- Модель продукта GT035N10Q
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 190A TO-247
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1554
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 190A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 3.5mOhm @ 30A, 10V
- Материал феррулы 277W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-247
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 68 nC @ 10 V
- 6516 pF @ 50 V
Сопутствующие товары
SIC MOSFET N-CH 71A TO247-3
Инвентаризация: 1732
MOSFET, N-CH, SINGLE, 200.00A, 1
Инвентаризация: 323
N100V,190A,RD<3.5M@10V,VTH2.0V~4
Инвентаризация: 58
SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3
Инвентаризация: 420
SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-3
Инвентаризация: 82
