- Модель продукта GT250P10T
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 100V 56A TO-220
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1539
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 56A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 30mOhm @ 10A, 10V
- Материал феррулы 173.6W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 73 nC @ 10 V
- 4059 pF @ 50 V