- Модель продукта G58N06F
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание N60V, 35A,RD<13M@10V,VTH1.0V~2.4
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1562
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3 Full Pack
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 35A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 13mOhm @ 30A, 10V
- Материал феррулы 44W (Tc)
- Барьерный тип 2.4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220F
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 75 nC @ 10 V
- 30006 pF @ 30 V