Инвентаризация:23830

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 P-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 5W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 8A (Tc)
  • Глубина 1910pF @ 30V
  • Сопротивление при 25°C 48mOhm @ 4.3A, 10V
  • Тип симистора 65nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO

Инвентаризация: 11414

MOSFET 2P-CH 60V 4.8A 8SO

Инвентаризация: 36019

MOSFET 2P-CH 60V 7.5A 8SOP

Инвентаризация: 6725

MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SOIC

Инвентаризация: 20552

MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC

Инвентаризация: 3530

MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC

Инвентаризация: 6387

MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8

Инвентаризация: 1773

MOSFET 2P-CH 60V 12A 8DFN

Инвентаризация: 10821

Top