Инвентаризация:12321

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 P-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 3.5W
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 12A (Tc)
  • Глубина 870pF @ 30V
  • Сопротивление при 25°C 68mOhm @ 6A, 10V
  • Тип симистора 16.4nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-PDFN (5x6)

Сопутствующие товары


MOSFET 2P-CH 26A POWERDI50

Инвентаризация: 3640

IC BILATERAL SW 1 X 1:1 14SOIC

Инвентаризация: 8638

MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8

Инвентаризация: 5543

MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8

Инвентаризация: 1773

Top