Инвентаризация:3273

Технические детали

  • Тип монтажа PowerPAK® SO-8 Dual
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 P-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TA)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 27W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 8A (Tc)
  • Глубина 1140pF @ 30V
  • Сопротивление при 25°C 85mOhm @ 3.5A, 10V
  • Тип симистора 40nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8 Dual
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2P-CH 26A POWERDI50

Инвентаризация: 3640

MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SOIC

Инвентаризация: 20552

MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC

Инвентаризация: 22330

MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8

Инвентаризация: 4309

MOSFET 2P-CH 60V 12A 8DFN

Инвентаризация: 10821

Top