- Модель продукта SQJ960EP-T1_GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:5809
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8 Dual
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 34W
- Внутренняя отделка контактов 60V
- Толщина внешнего контактного покрытия 8A
- Глубина 735pF @ 25V
- Сопротивление при 25°C 36mOhm @ 5.3A, 10V
- Тип симистора 20nC @ 10V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8 Dual
- Диаметр - Плечо Automotive
- AEC-Q101
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 3
Инвентаризация: 629944
MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8
Инвентаризация: 2891
MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8
Инвентаризация: 1773
MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
Инвентаризация: 7919
