Технические детали

• Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 P-Channel (Dual)
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 3.2W
• Внутренняя отделка контактов 40V
• Толщина внешнего контактного покрытия 8A
• Глубина 2000pF @ 20V
• Сопротивление при 25°C 27mOhm @ 8A, 10V
• Тип симистора 63nC @ 10V
• Тип подключения Logic Level Gate
• Барьерный тип 2.5V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-SOIC