Инвентаризация:5140

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 P-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Толщина внешнего контактного покрытия 26A (Tc)
  • Глубина 1525pF @ 30V
  • Сопротивление при 25°C 48mOhm @ 5A, 10V
  • Тип симистора 14.5nC @ 4.5V
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerDI5060-8
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2P-CH 26A POWERDI50

Инвентаризация: 3497

MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8

Инвентаризация: 1773

MOSFET 2P-CH 60V 12A 8DFN

Инвентаризация: 10821

Top