Технические детали

• Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 P-Channel (Dual)
• Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 1.4W (Ta)
• Внутренняя отделка контактов 60V
• Толщина внешнего контактного покрытия 7.5A (Ta)
• Глубина 2630pF @ 30V
• Сопротивление при 25°C 32mOhm @ 7.5A, 10V
• Тип симистора 50nC @ 10V
• Барьерный тип 2.5V @ 1mA
• Максимальное переменное напряжение 8-SOP