- Модель продукта SH8KC6TB1
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 2W (Ta)
- Внутренняя отделка контактов 60V
- Толщина внешнего контактного покрытия 6.5A (Ta)
- Глубина 460pF @ 30V
- Сопротивление при 25°C 32mOhm @ 6.5A, 10V
- Тип симистора 7.6nC @ 10V
- Барьерный тип 2.5V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOP
Сопутствующие товары
MOSFET 2N-CH 60V 9.5A 8SOIC
Инвентаризация: 16178
MOSFET 2N-CH 60V 7.1A/22.6A 8SO
Инвентаризация: 12297
MOSFET 2N-CH 7.6A 8SO
Инвентаризация: 1537
MOSFET 2P-CH 60V 7.5A 8SOP
Инвентаризация: 6725
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
Инвентаризация: 16592
MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC
Инвентаризация: 10776
