Инвентаризация:12276

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 4W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 7A (Tc)
  • Глубина 865pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 40mOhm @ 4.5A, 10V
  • Тип симистора 22nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 60V 7.1A/22.6A 8SO

Инвентаризация: 12297

MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8SOIC

Инвентаризация: 2933

IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 5TSOP

Инвентаризация: 140

MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP

Инвентаризация: 19963

MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC

Инвентаризация: 16592

Top