- Модель продукта AOSD62666E
- Бренд Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 60V 9.5A 8SOIC
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:17678
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 2.5W (Ta)
- Внутренняя отделка контактов 60V
- Толщина внешнего контактного покрытия 9.5A (Ta)
- Глубина 755pF @ 30V
- Сопротивление при 25°C 14.5mOhm @ 9.5A, 10V
- Тип симистора 10nC @ 4.5V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 2.2V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
Сопутствующие товары
TERM BLK 3P SIDE ENT 2.54MM PCB
Инвентаризация: 3252
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8SOIC
Инвентаризация: 26024
MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Инвентаризация: 1060579
MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
Инвентаризация: 145945
MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Инвентаризация: 31787
