Инвентаризация:33287

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 2W
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 8A
  • Глубина 1330pF @ 30V
  • Сопротивление при 25°C 17.8mOhm @ 8A, 10V
  • Тип симистора 36nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 4V @ 50µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SO

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 60V 9.5A 8SOIC

Инвентаризация: 16178

MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO

Инвентаризация: 0

Top