Инвентаризация:3037

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Толщина внешнего контактного покрытия 7.6A (Ta)
  • Глубина 864pF @ 30V
  • Сопротивление при 25°C 19.5mOhm @ 10A, 10V
  • Тип симистора 17nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 60V 7.6A 8SO

Инвентаризация: 6713

TRANS NPN DARL 120V 1.5A SOT223

Инвентаризация: 34941

MOSFET 2P-CH 60V 7.5A 8SOP

Инвентаризация: 6725

MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP

Инвентаризация: 19963

Top