Инвентаризация:8213

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.4W, 1.9W
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 7.6A (Ta)
  • Глубина 864pF @ 30V
  • Сопротивление при 25°C 19.5mOhm @ 10A, 10V
  • Тип симистора 17nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SO
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 60V 7.1A/22.6A 8SO

Инвентаризация: 12297

MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SO

Инвентаризация: 55394

MOSFET 2P-CH 40V 6.9A 8SO

Инвентаризация: 9842

MOSFET 2N-CH 100V 24A POWERDI50

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN

Инвентаризация: 4202

MOSFET 2N-CH 7.6A 8SO

Инвентаризация: 1537

Top