Инвентаризация:56894

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 P-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 2.5W
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 6.9A (Ta)
  • Глубина 722pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 45mOhm @ 6A, 10V
  • Тип симистора 13.7nC @ 4.5V
  • Барьерный тип 2.1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SO
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SO

Инвентаризация: 14131

MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO

Инвентаризация: 250843

MOSFET 2N-CH 60V 7.6A 8SO

Инвентаризация: 6713

Top